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Forscher bauen kleinsten Transistor der Welt

Archivmeldung vom 12.12.2018

Bitte beachten Sie, dass die Meldung den Stand der Dinge zum Zeitpunkt ihrer Veröffentlichung am 12.12.2018 wiedergibt. Eventuelle in der Zwischenzeit veränderte Sachverhalte bleiben daher unberücksichtigt.

Freigeschaltet durch Thorsten Schmitt
So sieht der kleinste Transistor der Welt aus.
So sieht der kleinste Transistor der Welt aus.

Bild: mit.edu

Den kleinsten jemals produzierten Transistor haben Forscher am Massachusetts Institute of Technology (MIT) und der University of Colorado hergestellt. Er ist mit einer Ausdehnung von 2,5 Nanometern weniger als halb so groß wie die bisherigen Rekordhalter, und dennoch leistungsfähiger.

Neue Ätztechnik

Das Hightech-Gerät hergestellt haben die Experten mit einer neuen Ätztechnik, die es erlaubt, den Halbleiter Atom für Atom zu modifizieren. Das Verfahren wird "Thermal Atomic Level Etching" genannt. Damit scheint das Moorsche Gesetz weiterhin Bestand zu haben. Gordon Moore, einer der Intel-Gründer, formulierte es 1965. Es besagt, dass sich die Komplexität elektronischer Schaltkreise spätestens nach zwei Jahren verdoppelt.

"Wir glauben, dass unsere Entwicklung einen großen Einfluss auf die künftige Elektronik hat", sagt Wenjie Lu, der zum Team von Jesus A. del Alamo, Professor für Elektrotechnik und Computerwissenschaften am MIT, und Steven George in Boulder gehört. Bei der ALD-Technik werden in einem Vakuum-Reaktor auf einer Unterlage zwei Chemikalien platziert, die miteinander reagieren. Sie bilden einen Film, der nur eine Atomlage dick ist. Als Auslöser der Reaktion dienen hochenergetische Ionen, die allerdings neben der gewünschten Wirkung auch Fehlstellen verursachen.

Ligandenaustausch

Die Forscher haben das ALD-Verfahren verbessert. Sie nutzen den sogenannten Ligandenaustausch. Dabei wird ein Ion, das an einem Metall "klebt", gegen ein anderes Teilchen ausgetauscht. Wenn die Chemikalien abgewaschen werden, reißt das "Tauschteilchen" ein Atom aus dem Untergrund mit sich. Das wird einige 100 Mal wiederholt, bis der Transistor fertig ist. Das Verfahren musste noch modifiziert werden, um es an Halbleitern anzuwenden. Bisher funktionierte es nur mit Oxiden. Als Basismaterial nutzten die Forscher nicht Silizium, sondern Indium-Gallium-Arsenid.

Quelle: www.pressetext.com/Wolfgang Kempkens

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