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Gericht weist die Klage von ROHM Semiconductor USA ab und erzwingt ein Schiedsgerichtsverfahren

Archivmeldung vom 15.02.2021

Bitte beachten Sie, dass die Meldung den Stand der Dinge zum Zeitpunkt ihrer Veröffentlichung am 15.02.2021 wiedergibt. Eventuelle in der Zwischenzeit veränderte Sachverhalte bleiben daher unberücksichtigt.

Freigeschaltet durch André Ott
Bild: PRNewsire
Bild: PRNewsire

MaxPower Semiconductor, Inc. (MaxPower), ein Anbieter von Hochleistungs-Leistungshalbleiterprodukten, gab heute bekannt, dass das US-Bezirksgericht von Nordkalifornien (U. S. District Court for the Northern District of California) nach einer Anhörung am 04. Februar 2021 die Beschwerde von ROHM Semiconductor USA LLC (ROHM USA) auf Feststellung der Nichtverletzung von Patenten von MaxPower abgewiesen hat.

Das Gericht stellte fest, dass der Technologielizenzvertrag (TLA) von MaxPower mit ROHM Co., Ltd. (ROHM Japan; 6963:JPTokyo) die Tochtergesellschaften von ROHM Japan, einschließlich ROHM USA, bindet und dass derselbe Vertrag ROHM USA dazu verpflichtet, seine Ansprüche wegen Nichtverletzung schiedsgerichtlich geltend zu machen.

"Wir freuen uns, dass das Gericht unserem Antrag auf Erzwingung eines Schiedsverfahrens stattgegeben hat. Es freut uns, dass wir den Rechtsstreit über die Verletzung unserer langjährigen nicht-exklusiven Trench-Technologie MOSFET und die Patentlizenz durch ROHM beilegen können. Wir sind zuversichtlich, dass wir im Schiedsverfahren obsiegen werden. Wir beabsichtigen, unsere Technologiewerte und sonstigen Rechte geistigen Eigentums weiterhin aggressiv zu schützen", sagte Dr. Mohamed Darwish, President und CEO von MaxPower.

Roger Cook, Chefsyndikus von MaxPower, ergänzte: "ROHM hat diese unzulässige Feststellungsklage dazu genutzt, einer schiedsgerichtlichen Beilegung dieses Rechtsstreits über den Verkauf der Silikonkarbid-Trench-MOSFETs aus dem Weg zu gehen. Dankenswerterweise sollte es mit der Beilegung dieses Rechtsstreits nun vorangehen."

Über den Rechtsstreit

Angesichts der Behauptung von MaxPower, ROHM Japan habe seine Verpflichtungen aus dem Technologielizenzvertrag verletzt, reichte ROHM USA am 23. September 2020 eine Klage gegen MaxPower ein und beantragte die Feststellung, dass die Silikonkarbide (SiC) MOSFET von ROHM die US-Patente von MaxPower nicht verletzen. Der Beschluss des Gerichts, die Klage abzuweisen und ROHM USA auf das Schiedsverfahren zu verweisen, ist zu finden unter https://www.pacermonitor.com/public/case/36415380/Rohm_Semiconductor_USA,_LLC_v_MaxPower_Semiconductor,_Inc, Case No. 20-cv-06686-VC.

Quelle: MaxPower Semiconductor, Inc. (ots)

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